STBP120設(shè)備為高達(dá)+28 V的輸入電壓提供過(guò)電壓保護(hù)。根據(jù)中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部通信標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1591-2006，其低RDS（on）N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)可保護(hù)連接到OUT引腳的系統(tǒng)免受直流電源故障的影響。

在輸入過(guò)電壓情況下，設(shè)備通過(guò)關(guān)閉內(nèi)部低RDS（on）N溝道MOSFET立即斷開(kāi)直流電源，以防止損壞受保護(hù)的系統(tǒng)。

此外，該器件還監(jiān)測(cè)其自身的結(jié)溫度，如果結(jié)溫度超過(guò)規(guī)定的極限，則關(guān)閉內(nèi)部MOSFET。

該設(shè)備可以由微控制器控制，并且還可以提供關(guān)于故障條件的狀態(tài)信息。

STBP120采用2 x 2.5mm的10-引腳TDFN微型封裝。

特性

某些過(guò)電壓選項(xiàng)符合中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1591-2006（僅限過(guò)電壓保護(hù)）

IN輸入ESD耐受電壓高達(dá)±15 kV（空氣放電），在具有1μF輸入電容器的典型應(yīng)用電路中高達(dá)±8 kV（接觸放電）（獨(dú)立設(shè)備為±2 kV HBM）

小型、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2.5 x 2 mm TDFN–10鉛封裝。

啟用輸入（EN）

控制涌入電流的軟啟動(dòng)功能

最高28 V的輸入過(guò)電壓保護(hù)

90 mΩ的低RDS（開(kāi)啟）

集成高壓N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)

熱停堆保護(hù)

故障指示輸出（FLT）

集成電荷泵

應(yīng)用

智能手機(jī)

數(shù)碼相機(jī)

PDA和掌上電腦設(shè)備

MP3播放器

低功耗手持設(shè)備

引腳

封裝

電路原理圖

典型應(yīng)用電路圖