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近日,著名咨詢公司麥肯錫發(fā)表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預(yù)測數(shù)據(jù)值得我們關(guān)注。
電動汽車以及SiC市場預(yù)測麥肯錫從2018年到2022年之間的數(shù)據(jù)預(yù)測,到2030年電動汽車在全球輕型汽車市場中的份額將增長3.8倍,從大約1700萬輛增加至6400萬輛,市場份額從2022年的19%增長至2030年的67%。預(yù)計到2024年或2025年,多個國家的電動汽車總擁有成本將會與內(nèi)燃機汽車持平,這樣的預(yù)期也推動了電動汽車市場的增長。SiC在電動汽車中主要被應(yīng)用于逆變器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能夠提供更高的開關(guān)頻率、熱阻和擊穿電壓,從而有效提高電動汽車的工作效率并降低系統(tǒng)總成本。因此,隨著電動汽車市場的增長,SiC也將迎來高增長階段。麥肯錫報告顯示,SiC器件市場在2022年的價值約為20億美元,預(yù)計到2023年將達到110億美元至140億美元,年均復(fù)合增長率預(yù)計達到26%。麥肯錫預(yù)計,市場上70%的SiC需求將來自電動汽車,并認為中國是電動汽車需求最高的國家,將占到電動汽車SiC總需求的40%左右。由于對耐壓以及效率的需求,目前800V平臺的電動汽車上SiC器件的使用比例較高。報告分析稱,到2030年,純電動汽車(BEV)預(yù)計會占新能源汽車產(chǎn)量的75%,而混合動力(HEV)和插電混動(PHEV)汽車將占其余的25%。另外,到2030年,800V平臺的滲透率將超過50%。SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高目前SiC市場高度集中,SiC襯底和器件市場上的前兩家公司就壟斷了大約60%到65%的SiC市場份額。其中,SiC市場的主要玩家采用IDM模式。根據(jù)麥肯錫的分析,SiC襯底和器件制造中采用IDM模式,能夠?qū)a(chǎn)量提高5%至10%,利潤提高10%至15%。其中的原因包括更低的損耗率,同時還有在制造過程中的每個步驟中消除邊際堆疊。通過更好地控制設(shè)計,并與晶圓和器件制造之間的閉環(huán)反饋實現(xiàn)更快的產(chǎn)量提升,可以實現(xiàn)更高的良率。從戰(zhàn)略上看,IDM廠商能夠為汽車OEM提供更穩(wěn)定的供應(yīng),這在供應(yīng)鏈中具備很大的優(yōu)勢。包括意法半導(dǎo)體收購Norstel、安森美收購GT Advanced Technologies (GTAT)和羅姆收購SiCrystal,都展示出SiC廠商布局IDM的趨勢。在SiC晶圓方面,麥肯錫預(yù)計從6英寸晶圓向8英寸晶圓的轉(zhuǎn)變將在2024年或2025年左右開始,到2030年8英寸SiC晶圓的市場滲透率將達到50%。一旦制造商成功克服了技術(shù)挑戰(zhàn),8英寸晶圓將為他們帶來豐厚的利潤收益,同時減少邊緣損耗,提高生產(chǎn)效率,并能夠充分利用硅制造中的折舊資產(chǎn)。根據(jù)我們對垂直整合程度的不同估計,這種轉(zhuǎn)變所帶來的利潤增長幅度大約在5%至10%之間。美國領(lǐng)先的制造商預(yù)計將于2024年和2025年開始批量生產(chǎn)8英寸晶圓,隨后這種生產(chǎn)將迅速增長。主要推動因素包括應(yīng)對需求和價格壓力(特別是來自中等規(guī)模電動汽車制造商),以及通過轉(zhuǎn)向8英寸碳化硅晶圓制造實現(xiàn)的成本節(jié)約。分析結(jié)果顯示,由于產(chǎn)量較低,與6英寸晶片相比,目前8英寸晶片襯底的單位價格仍相對較高。然而,隨著工藝產(chǎn)量的提升和新晶片技術(shù)的引入,領(lǐng)先制造商在未來十年內(nèi)有望縮小這一差距。例如,麥肯錫發(fā)現(xiàn)相較于傳統(tǒng)的多線鋸晶片切割技術(shù),激光切割技術(shù)有望將一個單晶毛坯生產(chǎn)的晶片數(shù)量提升一倍以上。此外,先進的晶片技術(shù)如氫分裂等也有望進一步提高產(chǎn)能。中國本土供應(yīng)商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者目前在中國SiC市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應(yīng)商,不過由于考慮到地緣政治以及供應(yīng)穩(wěn)定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應(yīng)商。鑒于可見的產(chǎn)能擴張和器件技術(shù)性能,預(yù)計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應(yīng)商采購,從目前的約15%提高到約60%。在整個碳化硅價值鏈中,從設(shè)備供應(yīng)到晶圓和器件制造,再到系統(tǒng)集成,中國企業(yè)的崛起將推動中國向本地采購的轉(zhuǎn)變。中國的設(shè)備供應(yīng)商已經(jīng)覆蓋了所有主要的碳化硅制造步驟,并已宣布投資提升產(chǎn)能至2027年。不過,麥肯錫也認為,在中國的SiC行業(yè)中尚未出現(xiàn)明確的供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)者。
電動汽車以及SiC市場預(yù)測
SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高
中國本土供應(yīng)商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能線系列包含高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核,工作頻率為72 MHz,高速嵌入式存儲器(閃存高達512 KB,SRAM高達64 KB),以及連接到兩條APB總線的廣泛增強型I/O和外圍設(shè)備。所有設(shè)備都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器,以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口:最多兩個I2C、三個SPI、兩個I2S、一個SDIO、五個USART、一個USB和一個CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能線系列在–40至+105°C的溫度范圍內(nèi)運行,電源電壓為2.0至3.6 V。一套全面的節(jié)能模式允許設(shè)計低功耗應(yīng)用程序。這些功能使STM32F103xC/D/E高密度性能線微控制器系列適用于廣泛的應(yīng)用,如電機驅(qū)動、應(yīng)用控制、醫(yī)療和手持設(shè)備、PC和游戲外圍設(shè)備、GPS平臺、工業(yè)應(yīng)用、PLC、逆變器、打印機、掃描儀、報警系統(tǒng)視頻對講和暖通空調(diào)。特性核心:ARM?32位Cortex?-M3 CPU最大頻率72 MHz,0等待狀態(tài)內(nèi)存訪問時的1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能單循環(huán)乘法和硬件除法回憶256至512 KB的閃存高達64 KB的SRAM帶有4芯片選擇的靈活靜態(tài)存儲器控制器。支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲器LCD并行接口,8080/6800模式時鐘、重置和供應(yīng)管理2.0至3.6 V應(yīng)用電源和I/OPOR、PDR和可編程電壓檢測器(PVD)4至16 MHz晶體振蕩器內(nèi)部8MHz工廠微調(diào)RC帶校準(zhǔn)的內(nèi)部40kHz RC帶校準(zhǔn)的RTC 32 kHz振蕩器低功率睡眠、停止和待機模式用于RTC和備份寄存器的VBAT電源3×12位,1μs A/D轉(zhuǎn)換器(最多21個通道)轉(zhuǎn)換范圍:0至3.6 V三重采樣和保持能力溫度傳感器2×12位D/A轉(zhuǎn)換器DMA:12通道DMA控制器支持的外圍設(shè)備:定時器、ADC、DAC、SDIO、I2S、SPI、I2C和USART調(diào)試模式串行線調(diào)試(SWD)和JTAG接口Cortex?-M3嵌入式微量宏細胞?多達112個快速I/O端口51/80/112 I/O,所有可映射到16個外部中斷矢量,幾乎所有5個V容忍最多11個定時器最多四個16位定時器,每個定時器最多有4個IC/OC/PWM或脈沖計數(shù)器和正交(增量)編碼器輸入2×16位電機控制PWM定時器,具有死區(qū)時間生成和緊急停止功能2×看門狗定時器(獨立和窗口)SysTick計時器:24位下計數(shù)器2×16位基本定時器,用于驅(qū)動DAC多達13個通信接口多達2×I2C接口(SMBus/PMBus)最多5個USART(ISO 7816接口、LIN、IrDA功能、調(diào)制解調(diào)器控制)最多3個SPI(18 Mbit/s),2個具有I2S接口多路復(fù)用CAN接口(2.0B激活)USB 2.0全速接口SDIO接口CRC計算單元,96位唯一IDECOPACK?包裝電路原理圖封裝引腳方框圖
英特爾發(fā)布包含 12 個硅自旋量子比特(silicon spin qubit)的全新量子芯片 Tunnel Falls,繼續(xù)探索量子實用性,以解決重大難題。Tunnel Falls 是英特爾迄今為止研發(fā)的最先進的硅自旋量子比特芯片,利用了英特爾數(shù)十年來積累的晶體管設(shè)計和制造能力。在英特爾的晶圓廠里,Tunnel Falls 是在 300 毫米的硅晶圓上生產(chǎn)的,利用了英特爾領(lǐng)先的晶體管工業(yè)化制造能力,如極紫外光刻技術(shù)(EUV),以及柵極和接觸層加工技術(shù)。在硅自旋量子比特中,信息(0/1)被編碼在單個電子的自旋(上/下)中。硅自旋量子比特本質(zhì)上是一個單電子晶體管,因此英特爾能夠采用與標(biāo)準(zhǔn) CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯生產(chǎn)線類似的流程制造它。放在手指上的Tunnel Falls芯片封裝起來的Tunnel Falls芯片放大后的Tunnel Falls芯片示意圖:量子點柵極下的電子英特爾認為,硅自旋量子比特比其他量子比特技術(shù)更有優(yōu)勢,因其可以利用先進晶體管類似的生產(chǎn)技術(shù)。硅自旋量子比特的大小與一個晶體管相似,約為 50 x 50 納米,比其它類型的量子比特小 100 萬倍,并有望更快實現(xiàn)量產(chǎn)。《自然·電子學(xué)》期刊上的一篇論文表示,“硅可能是最有機會實現(xiàn)大規(guī)模量子計算的平臺”。同時,利用先進的 CMOS 生產(chǎn)線,英特爾可以通過其創(chuàng)新的制程控制技術(shù)提高良率和性能。Tunnel Falls 的良率達到了 95%,實現(xiàn)了與 CMOS 邏輯制程接近的電壓均勻性(voltage uniformity)。此外,英特爾可在每塊晶圓上實現(xiàn)超過 24000 個量子點。Tunnel Falls 能夠形成可被相互隔離或同時操控的 4 到 12 個量子比特。接下來,英特爾將繼續(xù)致力于提高 Tunnel Falls 的性能,并將其和英特爾量子軟件開發(fā)工具包(SDK)整合在一起,集成到英特爾的量子計算堆棧中。此外,基于制造 Tunnel Falls 的經(jīng)驗,英特爾已經(jīng)開始研發(fā)下一代量子芯片,預(yù)計將于 2024 年推出。
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