華為技術(shù)有限公司最近增加了多項(xiàng)專利信息，其中之一是“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法、三維存儲(chǔ)器、電子設(shè)備”，官方號(hào)碼為cn116940110a。

根據(jù)專利摘要，該申請(qǐng)涉及提高三維存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號(hào)線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個(gè)膜層對(duì)，膜層對(duì)第一個(gè)防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個(gè)臺(tái)階。電容器包括第一電極和第二電極。第一個(gè)接觸柱位于第一個(gè)目標(biāo)階的上端，一邊與形成第一個(gè)目標(biāo)階的膜層的柵極層電連在一起，第一個(gè)目標(biāo)階是多個(gè)階中的臨界段。第一根信號(hào)線連接到第一根接觸柱的另一端，第一根信號(hào)線被安排在柵極層傳送第一電壓信號(hào)，柵極層被安排成第一電極。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)應(yīng)用于三維存儲(chǔ)器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。

華為表示，隨著內(nèi)存單元特征大小接近下限，平面技術(shù)和制造技術(shù)具有挑戰(zhàn)性，成本提高，從而使2d內(nèi)存的內(nèi)存密度接近上限。為了克服2d存儲(chǔ)器的局限性，業(yè)界開(kāi)發(fā)了三維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，為了提高存儲(chǔ)器密度，將膜層堆疊起來(lái)，縮小了零件的尺寸。

上述三維存儲(chǔ)器還包括周?chē)娐罚車(chē)娐泛痛鎯?chǔ)單位設(shè)置在三維存儲(chǔ)器的不同區(qū)域。外部電路中金屬-氧化物-金屬（metal - oxide - metal，減少mom）電容器，因此，包括mom電容器的區(qū)域面積，減少儲(chǔ)存裝置的區(qū)域面積增加三維記憶裝置的存儲(chǔ)密度提高的方法在銀領(lǐng)域正在成為亟待解決的問(wèn)題。