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安森美 NTHL015N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET的介紹、特性、及應用
安森美onsemi NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET，采用TO-247-3L封裝。該碳化硅MOSFET的設計快速而堅固耐用。該器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。這些MOSFET還具有3倍能量帶間隙和3倍導熱性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能的選項，專門設計用于汽車應用并符合其相關要求。
NTHL015N065SC1 特性
典型值 RDS(on) = 12m（VGS = 18V時）
典型值 RDS(on) = 15m（VGS = 15V時）
超低柵極電荷 (QG(tot) = 283nC)
高速開關，低電容 (Coss = 430pF)
100%經雪崩測試
該器件不含鹵素，符合RoHS指令（7a豁免），無鉛2LI（二級互連）
NTHL015N065SC1 應用
開關模式電源 (SMPS)
太陽能逆變器
不間斷電源 (UPS)
儲能
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MOS管和三極管的電源開關電路設計
三極管與MOS管組成的電源開關電路一定是NPN與PMOS管組合么？PNP與NMOS管可以組合么？那今天我們就來講解下關于MOS管和三極管之間的一些組合優勢。在電子電路中，電源開關電路是一種常見的電路配置，用于控制電源的開關操作（一般由三極管和MOS管組合而成）。然而三極管和MOS管之間的組合不僅限于NPN與PMOS管，實際上，還可以使用PNP與NMOS管進行組合。在某些電源開關電路中，NPN和PMOS組合是比較常見的。NPN三極管用于控制基極電流，PMOS管用于控制高電壓或高功率負載。其中NPN三極管用于低電壓和低功率控制信號，而PMOS管用于高電壓和高功率負載。這種組合適用于需要較高電壓和功率的應用：電流放大能力：NPN三極管具有較高的電流放大能力，可以提供穩定的控制信號，同時也能夠承受較高的電流負載。高壓控制能力：PMOS管作為功率開關元件，適用于高壓電源開關電路，能夠承受較高的電壓。低功耗：NPN與PMOS管之間的電流放大作用，使其可以在較低的功率下完成電源開關操作，降低功耗。雖然NPN與PMOS管組合在電源開關電路中應用廣泛，但并不意味著PNP與NMOS的組合不可行。PNP和NMOS，這種組合適用于需要負電壓供電的應用，其中PNP三極管用于負電壓供電，而NMOS管用于控制信號。在一些特殊應用中，如負電源電路和功率逆變器中會經常使用。低電壓控制能力：PNP與NMOS組合能夠在低電壓條件下實現開關操作，適用于低電壓電源開關電路?？焖匍_關速度：NMOS管具有較快的開關速度，可以實現快速的開關操作，適用于高頻率應用。低成本：PNP與NMOS的組合相比于NPN與PMOS的組合，成本更低，大家都知道PMOS較NMOS價格較高，這對于一些成本敏感的應用來說是一個優勢。不過，PNP與NMOS的組合存在一些挑戰需要克服。其中一個主要挑戰是其電平轉換問題，原因是NPN與NMOS的電壓極性相反，需要進行電平轉換以實現正確的開關操作（可以通過使用電平轉換電路或者驅動器來解決）。除了NPN與PMOS以及PNP與NMOS的組合外，也存在其他可能的組合方式：NPN與NMOS、PNP與PMOS。這種組合適用于特殊應用，例如需要高速開關和低功耗的場合。
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全球一站式電子元器件知名服務商永芯易，永芯易公司主營業務
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