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不過,張忠謀并不支持臺積電赴美建廠,從一開始就是堅定拒絕的,他曾表示:“美國進入半導體制造市場是極其幼稚的行為。”近日,在一場會議場合里,張忠謀再一次談到了美國力拼芯片生產落地,他指出:“吸引赴美設廠投資金額為520億美元,其中390億美元為美國政府補貼,但這是多年補貼合計總額,而臺積電每年平均投資300億美元,甚至更多,這是否能解讀為美國吸引投資金額相對小。”“無論是美國‘芯片法案’或其他法案,我覺得都是蠻浪費的。”張忠謀重申。臺積電再次敗走美國?實際上,張忠謀不支持臺積電在美國建廠并非只是情緒上的抵觸,而是有充分的理論驗證。1995年,臺積電就曾主動公開表示,將在美國建立自己的工廠。1996年,臺積電正式將這個想法付諸行動,在美國華盛頓州的卡瑪斯建立自己第一座北美晶圓廠,這也是當時臺積電在臺灣島外第一座8英寸晶圓代工廠。臺積電首座美國工廠命名為WaferTech,最開始走的是合資路線,出資方除了臺積電還有Altera、ADI和ISSI,臺積電初期占股57.23%,后來臺積電收購了全部股份。從1996年到2001年,WaferTech僅僅用了短短5年的時間就教育了臺積電——在發達國家建廠需謹慎。按照計劃,WaferTech需要在1998年初量產,不過一直拖到了當年的9月份,WaferTech才開始正式出貨。并且,剛剛量產就在隨后一個季度出現了數億臺幣的設備折舊。與此同時,臺積電開始對美國建廠的高成本有所了解,首先是人力成本高,然后是資源配比也不給力,這導致WaferTech扭虧的時間晚了一年,臺積電也就沒有繼續擴產的打算。根據臺積電的財報數據,2021年WaferTech營收僅為新臺幣77.35億元,該年度臺積電整體營收高達1.59萬億新臺幣。在美國開始表達出本土芯片制造規劃并計劃拉攏臺積電時,張忠謀就回憶過WaferTech的經歷,他表示:“我們對成本預期非常天真,最終在美國制造芯片比臺灣貴了 50%,在美國建晶圓廠簡直是一場噩夢。”如今,噩夢再一次上演了。自2017年開始,美政府多次邀約臺積電赴美建廠,多次被臺積電回絕了。從2017年至2020年,美政府和臺積電之間經歷了數十場會面,包括交換意見、談判和調研等。最終,在2020年,由于胳膊擰不過大腿,臺積電答應赴美建廠。這一次,臺積電工廠選址在亞利桑那州。2020年5月15日,臺積電正式宣布了美國建廠計劃,最初承諾投入120億美元,計劃于2022年12月建設完畢,并逐步開始生產。很明顯,由于疫情等原因,最終這項計劃流產了。2022年底,臺積電將這項計劃追加到400億美元,將建成兩座工廠,分別代工5nm及3nm芯片。按照臺積電的最初計劃,5nm工廠將會在2024年全面運作,每月生產 2 萬片芯片。但是,歷史再一次重演了,由于找不到合適的工人,加上基礎設施進展不達預期,5nm工廠的量產運作時間已經調整到2025年。更加讓臺積電惱火的事情是,正如張忠謀所言,美國《芯片法案》的投資是長期的,但是一期的費用也太少了。在臺積電宣布投資增加到400億美元時,據知情人士透露,美政府給到臺積電的投資為10億-20億美元規模,這個補貼和當初承諾的高昂補貼似乎完全不搭邊。雖然投資少,但是美政府給臺積電制造的困難卻不少。由于初期建廠找不到合適工人和技術人員,臺積電計劃從臺灣當地調人去美國。不過,美政府隨后知會臺積電,要求臺積電在美國建廠用到的材料、人力等必須由美國當地供應。這個政策頒布之后,臺積電內部人士和供應商表示,保守估計,臺積電美國廠的成本將會是臺灣工廠的10倍。另外,有臺積電WaferTech工廠管理人員表示,更大的挑戰在工廠投運后,亞利桑那州水資源的短缺,以及美國工人懶散的態度將會讓量產成本非常高昂。WaferTech經過這么多年的優化,利潤率依然比臺灣工廠低近一成,新工廠的盈利壓力可想而知。強行回流代價高昂臺積電沒有主動意愿去美國建廠嗎?當然不是,WaferTech就已經證明,不考慮其他成本方面的問題,臺積電是非常看好美國建廠計劃的。同時,從公司層面來說,如果各項成本都能夠得到合理的控制,美國工廠會給臺積電帶來莫大的好處。根據相關統計數據,在臺積電的股權結構中,外國資本占比高達80%,其中很大一部分是美資;在臺積電的客戶中,美國客戶占據了64%的產能。這些數據都讓臺積電有動力去美國建廠。但是,美國工廠要正常運轉,需要滿足太多理想化的前提,這終究不是一門好生意。原因主要有三個方面。首先,全球晶圓代工產業經過長期的發展,已經在東亞形成了極高的集中度,產能主要分布在中國臺灣、韓國、日本、中國大陸等東亞國家和地區,產業配套也基本圍繞東亞布局。其次,東亞是出了名的人力成本低,晶圓代工除了資源密集和技術密集之外,人力資源也非常密集,好工人當然更容易出在東亞,因為他們性價比更高。第三就是張忠謀所說的投資問題。能夠看到,臺積電自己在美國工廠的計劃投入已經超過了美國《芯片法案》的全部建廠金額。所以,張忠謀可以非常有底氣地說,美國政府想要在短期內復刻一個臺積電出來,那是不可能完成的任務。所以,總結而言就是,美政府在錢不到位的情況,還想要逆產業大趨勢讓芯片制造回流,那么總歸需要人買單,或許是晶圓代工廠,或許是芯片公司,也或許是終端客戶。然而,在產業下行周期里,芯片公司和終端客戶都是強勢一方,那么如果繼續推行且產業沒有反彈,臺積電只能自己再一次吞下苦果。
臺積電再次敗走美國?
強行回流代價高昂
閃存存儲器大揭秘:不同類型優缺點詳解!閃存存儲器概述閃存存儲器是目前應用廣泛的存儲設備之一,它在電子產品中具有重要地位。閃存存儲器是一種非易失性存儲器,它的存儲技術與內存條不同,可以長時間保存數據。閃存存儲器又可分為NOR flash存儲器和NAND flash存儲器兩種類型,它們各有優劣,下面我們來一一了解。NOR flash存儲器NOR flash存儲器是一種常見的閃存存儲器。它的特點是讀取速度快,可直接讀取任意地址的數據,因此被廣泛應用于一些對讀取速度要求較高的設備中,比如路由器、音頻設備等。此外,NOR flash存儲器的可靠性也比較高,它的壽命比NAND flash存儲器更長,不易受到損壞。但是,NOR flash存儲器的缺點也比較明顯,它的寫入速度比較慢,且價格較高。NAND flash存儲器NAND flash存儲器是另一種常見的閃存存儲器。它的特點是寫入速度快,價格也相對較低,因此被廣泛應用于各類存儲設備中,比如USB閃存盤、SSD固態硬盤等。NAND flash存儲器的缺點是讀取速度相對較慢,且不能直接讀取任意地址的數據。另外,NAND flash存儲器的壽命相對較短,易受到損壞。NOR flash存儲器與NAND flash存儲器的區別NOR flash存儲器和NAND flash存儲器雖然都屬于閃存存儲器,但它們在使用過程中有很大的區別。NOR flash存儲器可直接讀取任意地址的數據,但寫入速度較慢;NAND flash存儲器的寫入速度較快,價格相對較低,但讀取速度較慢,不能直接讀取任意地址的數據。此外,NAND flash存儲器的壽命相對較短,易受到損壞,而NOR flash存儲器的可靠性更高,壽命更長。閃存存儲器是一種重要的存儲設備,它在電子產品中有著廣泛的應用。不同類型的閃存存儲器各有優缺點,選擇合適的存儲設備需要綜合考慮應用場景和需求。希望本文能夠幫助大家更好地了解閃存存儲器,為選擇合適的存儲設備提供一些參考。
近日,天津大學微電子學院博士生創業團隊“芯靈科技”成功研發高性能5G多頻段多標準兼容毫米波芯片套片。該芯片套片在國際上率先實現多頻段多標準融合,實現5.5G/6G國際通信標準中主流通信的多頻段多標準覆蓋(n257/n258/n259/n260/n261)。5G通信正成為人們生活的重要組成部分,對5.5G/6G基站和手機而言,高速率、高容量、低延時的毫米波芯片是不可或缺的技術“心臟”。天津大學微電子學院博士生創業團隊“芯靈科技”基于標準商用硅工藝,成功研制高性能5.5G/6G全頻段毫米波芯片套片。該芯片套片突破多項關鍵技術。“這一系列引領性技術創新和研發成果,將有助于我國在5.5G/6G毫米波通信領域擺脫依賴進口的局面,實現從‘跟跑’到‘領跑’的突破。”該團隊學生負責人王志鵬說。
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