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工信部：加快關鍵芯片、高精度傳感器、操作系統等新技術新產品的研發和推廣應用
6月21日，工業和信息化部副部長辛國斌在新聞發布會上表示，相比電動化，汽車網聯化、智能化變革涉及的領域更多，程度也更深，可以想像的空間也更大。支持關鍵技術攻關。支持重點大企業牽頭，大中小企業參與，開展跨行業跨領域協同創新。創新是第一生產力，要加快關鍵芯片、高精度傳感器、操作系統等新技術新產品的研發和推廣應用，進一步提升產業發展內生動力。進一步完善網聯基礎設施。加快C-V2X、路側感知、邊緣計算等基礎設施建設，建立基于邊緣云、區域云和中心云三級架構的云控基礎平臺，形成統一的接口、數據和通信標準，進一步提升網絡感知、云端計算能力。
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電子元器件選型要如何進行？
在硬件開發中，有了基本的思路框架，就要想辦法去實現這些功能了，具體怎么實現，需要選擇什么元器件都是需要有講究的。不然在實際小批量量產的時候就會出現各種各樣的問題，比如電源紋波過大，某個信號的干擾強，某個元器件良率很低，產品質量不穩定等等各種各樣的問題。所以在實際的電子元器件選型的時候，是有很多工作需要進行的那對于實際的電子元器件的選型要如何進行呢，需要做到哪些工作呢？具體的工作內容會包括了解項目需求，查閱官方資料，與供應商聯系，進行樣品測試，評估元件可靠性等等內容，最終目的就是能選擇出合適且穩定的電子元器件。了解項目需求根據研發項目的需求，記錄了解相關的參數，特性，工作環境等，進而確定所需元器件的性能范圍，可靠性水平，參數符合度，使用條件等等。查閱官方資料這點尤其有效且重要，很多電子元器件都是有自己配套的Datasheet資料的，可以查閱到元器件的品牌，型號，基本參數，電性能，機械尺寸，工作溫度，環境要求等等，所以當對某個元器件不是很了解時，查詢官方資料是最有效且高效的方法，也是電子元器件選型要做的一項重要的工作。與供應商聯系直接問相應元器件的供應商，他們會幫忙進行回答，可以詢問包括參數，價格，交貨期等信息，方便后面評估產品的供貨周期以及穩定性，同時也需要對比各家供應商的服務和價格，因為有些不靠譜的供應商是不提供技術支持的或質量與供貨不穩定。進行樣品測試不管描述文檔說的怎么樣，實際使用還是要測試一下的，所以對于一些元器件在采樣時，需要做一下技術測試，比如說功耗，穩定性，抗干擾能力等，作為最終元器件選型的標準。評估元器件的可靠性這個和樣品測試差不多，也是自己進行相關的測試，在某些特定環境下的老化測試，使用壽命，用以保證元器件在設備工作過程中能夠長期使用不損壞，達到安全可靠的目的。確認采購通過各項選型查詢與實際比對測試，最終確定所需的元器件，然后與相應供應商協商好價格，交貨周期，測試流程等等細節，確保能夠按時收貨且質量穩定。
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追趕SK海力士，三星、美光搶進HBM3E
新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道，三星電子已確認將其第五代HBM3E產品命名為“Shinebolt”，并正在向客戶公司發送HBM3E產品Shinebolt原型機進行質量認可測試。Shinebolt為8層堆疊的24GB芯片，帶寬比HBM3高出約 50%，達到1.228TB/s。另外，后續還有12層堆疊的36GB產品開發。而美光首席執行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s帶寬。計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。HBM3E的推出是為了配合應用于2025年NVIDIA推出的GB100。此前SK海力士一直在HBM市場份額上處于領先，不過三星、美光也開始了追趕，三家在HBM3E上的堆疊、容量、帶寬等都比較接近，將不可避免地進行交鋒。HBM的制造技術也在產品迭代中得以進步。HBM的堆疊主要采用硅通孔 (TSV) 鍵合。資料顯示，TSV不采用傳統的布線方法來連接芯片與芯片，而是通過在芯片上鉆孔并填充金屬等導電材料以容納電極來垂直連接芯片。制作帶有TSV的晶圓后，通過封裝在其頂部和底部形成微凸塊，然后連接這些凸塊。由于 TSV 允許凸塊垂直連接，因此可以實現多芯片堆疊。粘合工藝是HBM的關鍵制造步驟，TSV倒裝芯片接合方法通常使用基于熱壓的非導電薄膜 (TC-NCF)。三星從HBM生產的早期階段就一直采用熱壓縮非導電薄膜 (TC-NCF) 方法。近來三星優化其非導電薄膜（NCF）技術，以消除芯片層之間的間隙并最大限度地提高熱導率。SK 海力士從HBM3開始采用的先進大規模回流成型底部填充 (MR-MUF) 工藝，可以減少堆疊壓力并實現自對準。由于采用MR-MUF技術，2023年4月SK hynix 開發了其12層HBM3。根據SK海力士官網介紹，MR-MUF是將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。對于更先進的HBM封裝，SK海力士、三星都在加速開發混合鍵合工藝。根據SK海力士官網介紹，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術采用Cu-to-Cu（銅-銅）鍵合替代焊接。Cu-to-Cu（Copper-to-Copper, 銅-銅）鍵合作為封裝工藝的一種混合鍵合方法，可在完全不使用凸塊的情況下將間距縮小至10微米及以下。當需要將封裝內的die相互連接時，可在此工藝中采用銅-銅直接連接的方法。如下圖第一排第三張示意圖。混合鍵合技術可以進一步縮小間距，同時作為一種無間隙鍵合（Gapless Bonding）技術，在芯片堆疊時不使用焊接凸塊（Solder Bump），因此在封裝高度上更具優勢。此前SK海力士推出的HBM2E，采用混合鍵合成功堆疊1個基礎芯片和8個DRAM芯片。而為了推進HBM4產品的開發，三星電子正計劃采用針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝與混合鍵合（HCB）等技術。
哦! 它是空的。