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消息稱三星正加速生產面向 AI 的 HBM 存儲芯片，與海力士競爭
6 月 27 日消息，今年 5 月，三星設備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung 承認，三星的代工技術落后于臺積電。他同時表示，三星將在五年內超過臺積電。現在有消息稱，三星正準備于今年大規模生產面向 AI 應用的高帶寬存儲芯片。
據外媒 KoreaTimes 報道，三星計劃在 2023 年下半年大規模生產面向 AI 的 HBM 芯片，而目前，他們的主要目標是先迎頭趕上 SK 海力士，后者在 AI 存儲芯片市場迅速取得了領先地位。
2022 年 SK 海力士在 HBM 市場占有約 50% 的份額，而三星占有約 40% 的份額。美光占有剩余的 10%。不過，HBM 市場整體上并不大，僅占整個 DRAM 市場的約 1%。
盡管如此，隨著 AI 市場的增長，對 HBM 解決方案的需求預計將增加，三星現在計劃迎頭趕上 SK 海力士，并大規模生產 HBM3 芯片以應對市場變化，當下應用 AI 的存儲芯片正在愈發普遍，而高帶寬存儲解決方案也越來越受到關注。
而此前消息稱，三星贏得了 AMD 和谷歌作為其客戶，三星將在其第三代 4 納米工藝節點上制造谷歌的 Tensor 3 芯片，傳聞中的 Exynos 2400 SoC 也可能是在 4 納米工藝上制造。
▲ 谷歌的 Tensor 3 芯片渲染圖，圖源XDA
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