瑞薩電子今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。

DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM（SODIMM）、非緩沖DIMM（UDIMM）、高性能游戲DIMM，以及客戶端平臺(tái)的焊接式存儲(chǔ)應(yīng)用相連接的產(chǎn)品。瑞薩的第3代DDR5 RCD專為寄存DIMM（RDIMM）而設(shè)計(jì)。

CKD在主機(jī)控制器和DRAM間緩沖時(shí)鐘信號(hào)，這是DDR5 DIMM針對(duì)客戶端DIMM和焊接式存儲(chǔ)應(yīng)用在高達(dá)7200MT/s速度運(yùn)行時(shí)的新要求。全新時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD支持I2C和I3C邊帶訪問以實(shí)現(xiàn)異步控制，并提供內(nèi)部控制字訪問，以配置器件功能，適應(yīng)不同的SODIMM和UDIMM配置及焊接式存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用。

RCD驅(qū)動(dòng)器在主機(jī)控制器和DRAM模塊之間針對(duì)命令地址（CA）總線、芯片選擇和時(shí)鐘進(jìn)行緩沖，此外還創(chuàng)建了一個(gè)BCOM總線來(lái)控制LRDIMM數(shù)據(jù)緩沖。全新驅(qū)動(dòng)器增強(qiáng)了決策反饋均衡器（DFE）的支持；其將DFE 相位轉(zhuǎn)換器從4個(gè)增加至6個(gè)，以提高接收器裕量，而I2C和I3C邊帶總線支持提供了直連寄存器的訪問控制。

采用CKD和RCD驅(qū)動(dòng)器的成功產(chǎn)品組合

瑞薩將RCD和CKD驅(qū)動(dòng)器與其它成功產(chǎn)品組合中的兼容產(chǎn)品相結(jié)合，包括DDR5電源管理IC（PMIC）和CKD串行存在檢測(cè)（SPD）集線器。RCD還可以與瑞薩的溫度傳感器、SPD集線器、PMIC和數(shù)據(jù)緩沖器搭配。瑞薩“成功產(chǎn)品組合”依托于相互兼容且可無(wú)縫協(xié)作的產(chǎn)品，同時(shí)采用經(jīng)過技術(shù)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu)，提供優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)，加快產(chǎn)品上市。基于廣泛的產(chǎn)品陣容，瑞薩現(xiàn)已推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”，旨在幫助用戶加速設(shè)計(jì)，加快上市。