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MORNSUN金升陽推出滿足多種電源應用的共模電感
為有效抑制開關電源應用過程中產生的共模電磁干擾信號，提升電源產品的EMI特性，金升陽針對不同的開關電源，開發多個共模電感產品，應用電流覆蓋0-40A，同時布局汽車級共模方案，滿足多種應用需求。
一、產品介紹
為有效抑制開關電源應用過程中產生的共模電磁干擾信號，提升電源產品的EMI特性，金升陽針對不同的開關電源，開發多個共模電感產品，應用電流覆蓋0-40A，同時布局汽車級共模方案，滿足多種應用需求。
二、產品優勢
①高共差模插入損耗
FL系列共模電感產品共模插入損耗帶寬較寬，FL2D系列CM抑制能力最高可達47dB@400KHz，DM則可達到52dB@8MHz；FL4D系列CM抑制能力最高可達42dB@650kHz，有效提升EMI效果。
FL2D插入損耗圖
FL4D插入損耗圖
②選型豐富，滿足0-40A應用范圍
FL系列共模電感覆蓋0-40A電流需求，最大工作電壓支持1500VAC，可滿足多種電源前級配套需求（PV電源、大機殼、磚類等）。
三、產品特點
● 元器件100%國產化
● 寬工作溫度范圍：-40℃ to +125℃
● 干擾抑制能力強
● 超高工作電壓：0-600VAC/1500VAC（FL2D-xxxA/B系列）
● 通過AEC-Q200測試要求（FL2T系列）
四、產品應用
FL系列廣泛應用于逆變器、UPS電源、新能源及其它工業設備的電源線路輸入及輸出噪音濾波。
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美對華芯片限制法案“護欄”最終規則公布，限制半導體投資對華擴張
美國商務部芯片計劃辦公室（CHIPS Program Office）在美國商務部（BIS）官網發布聲明稱，美國商務部9月22日發布了實施《芯片和科學法案》國家安全保護措施的最終規則。該規則詳細闡述了該法案的兩項核心規定：第一項規定是禁止芯片基金受助人十年內在其他相關國家擴大半導體材料生產能力；第二項規定是限制受助人與相關外國實體開展某些聯合研究或技術許可活動。這被認為是防止中國和其他被認為對美國國家安全構成擔憂的國家使用半導體制造補貼。這是美國商務部發放價值超過1000億美元的聯邦援助之前的最后一個監管障礙，旨在促進國內芯片制造，同時遏制中國的技術進步。芯片計劃辦公室正準備提供390億美元的贈款以及750億美元的貸款和貸款擔保，將禁止贏得這筆資金的公司大幅增加其在中國的產量或擴大其實體制造空間。先進芯片的漲幅將被限制為5%，而28nm或更成熟的舊技術的漲幅將被限制為10%。“美國芯片從根本上來說是一項國家安全倡議，這些護欄將有助于確保接受美國政府資金的公司不會損害我們的國家安全，因為我們將繼續與我們的盟友和合作伙伴協調，以加強全球供應鏈并增強我們的集體安全。” 美國商務部長吉娜·雷蒙多在一份聲明中表示。美國商務部取消了最初提議條款中的嚴格限制。此前，該機構對中國先進產能的投資設定了10萬美元的支出上限，這將有效阻止企業獲得聯邦資金來增加28nm以上芯片的產量。在美國信息技術產業委員會（代表英特爾、臺積電和三星電子等公司的強大行業組織）公開反對這一決定之后，該規則被撤銷。預計所有這三個芯片制造商都將獲得聯邦政府對在美國境內設立新工廠的激勵措施。與此同時，除了最初僅基于產能的限制外，美國商務部還擴大了限制芯片制造商在中國工廠建設規模的最終規則。美國商務部官員表示，這一限制是國家安全護欄的約束性約束。該修正案反映了企業的反饋意見，即每月的產能可能存在很大差異，這使得潔凈室和其他設施的擴張成為更好的衡量標準。該最終規則將擴大半導體制造能力與增加無塵室或其他實體鏈接起來，將材料擴張定義為產能增加超過5%。該規則禁止接收者增加新的無塵室空間或生產線，導致設施產能擴大超過10%。美國商務部在一份新聞稿中表示：“這一門檻旨在捕捉計劃擴大制造能力的小額交易，但允許資金接受者通過正常的業務過程設備升級和效率提高來維持現有設施。”美國自2022年10月發布新的出口管制措施，切斷了中國對某些由美國設備制造的半導體芯片的獲取。美國商務部還概述了其他更新和修改措施，包括對國家安全至關重要的芯片清單，將實施更嚴格的限制。還將晶圓和基板生產添加到半導體制造的定義中，擴大了限制活動的范圍。該規則明確了允許與中國和其他外國實體進行一些不影響國家安全的聯合研究和許可活動，例如國際標準和專利許可、使資金接受者能夠利用晶圓代工和包裝服務的活動。美國商務部表示，如果接受者違反規定，美國可以收回全額聯邦撥款。一位高級官員表示，隨著獎勵的發放，該部門將繼續管理“護欄”，其中包括要求公司在擴大舊的芯片設施之前通知該部門。
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