7月21日訊，隨著各路資本持續(xù)加注人工智能，卡住“存力”環(huán)節(jié)的存儲芯片公司再次站到了聚光燈下。不過，在這場盛宴之中，并不是所有人都有資格受到邀請，手握門票、率先入場的SK海力士更是尤其明白這個道理。

這張門票正是當(dāng)下供不應(yīng)求的HBM。

由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求都在增長。HBM的價格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍；DDR5的價格也比DDR4高出15%到20%。

另據(jù)BusinessKorea援引業(yè)內(nèi)人士消息透露，在最近一次非公開企業(yè)說明會上，SK海力士預(yù)計，2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。

雖然目前HBM在SK海力士的營收占比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%。而SK海力士今年上半年預(yù)計虧損超過6萬億韓元，如今或許意在憑借高附加值內(nèi)存實現(xiàn)反彈。

公司副總裁Park Myoung-soo對整個市場前景頗為樂觀。他預(yù)計，AI服務(wù)器內(nèi)存（包括HBM、DDR4和DDR5）在整個服務(wù)器內(nèi)存市場的份額將從今年的17%增加到5年后的38%，未來5年人工智能服務(wù)器效應(yīng)帶來的新增DRAM需求將累計達(dá)到400億GB。SK海力士目標(biāo)2026年生產(chǎn)HBM4。

另外，SK海力士還透露了未來產(chǎn)品的具體路線圖。

公司已明確明年上半年生產(chǎn)HBM3E，并將HBM4的生產(chǎn)目標(biāo)時間定在了2026年。SK海力士計劃在HBM4中采用先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合（hybrid bonding）”，與現(xiàn)有的“非導(dǎo)電膜（non - conductive film）”相比，混合鍵合提高了散熱效率、減少了布線長度、提高了輸入/輸出密度，還能將HBM層數(shù)限制由12層提升至16層。

在此之前，SK海力士已著手?jǐn)U建HBM產(chǎn)線，目標(biāo)將HBM產(chǎn)能翻倍。擴(kuò)產(chǎn)焦點在于HBM3，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備，將擴(kuò)建封裝HBM3的利川工廠。預(yù)計到今年年末，后段工藝設(shè)備規(guī)模將增加近一倍。

而半導(dǎo)體行業(yè)中，圍繞高附加值DRAM的競爭將日趨激烈。

另一存儲芯片巨頭三星也計劃投資1萬億韓元（約合7.6億美元）擴(kuò)產(chǎn)HBM，目標(biāo)明年底之前將HBM產(chǎn)能提高一倍，公司已下達(dá)主要設(shè)備訂單。韓媒還指出，從第四季度開始，三星將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3，目前后者的HBM由SK海力士獨供。