4008-622-911
深圳市永芯易科技有限公司邀您參加2023世界電源產業博覽會
深圳市永芯易科技有限公司
企業主營：電源IC、射頻IC、接口IC、數字信號處理器(DSP)、單片機(MCU)、場效應管(MOSFET)、單管(IGBT)、碳化硅(SIC)、運放、存儲、傳感器、可控硅等
展位號T29
相關推薦
-
-
三星電子將于2024年量產超300層3D NAND芯片，采用雙堆疊工藝
電子時報報道，為了鞏固其在NAND閃存市場的領先地位，三星電子計劃再次采用雙堆疊技術來制造超過300層的3D NAND，旨在以生產成本優勢超越競爭對手。韓國媒體《首爾經濟日報》近日援引業內人士消息稱，三星計劃于2024年量產超過300層的第9代3D NAND。預計將采用雙堆疊技術生產，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然后將它們組裝在一起。2020年，三星從第7代176層3D NAND芯片開始首次采用雙堆疊技術。近日，SK海力士宣布計劃于2025年開始量產321層3D NAND，這讓三星和許多業內專家都感到驚訝。SK海力士與三星戰略的不同之處在于，它將采用三重堆疊技術，涉及生產三組獨立的3D NAND層，每組分別堆疊為120層、110層和91層，然后組合成一個芯片。在去年10月份舉辦的“三星技術日2022”上，三星公布了到2030年實現堆疊多達1000層的愿景。當時，業內專家猜測，在第9代3D NAND之后，三星可能會在第10代430層產品中采用三重堆疊技術。韓國業內人士一致認為，如果不采用三重堆疊工藝，3D NAND要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。然而，三重堆疊技術和雙堆疊技術在成本和效率方面仍然存在顯著差異。顯然，使用雙堆疊工藝在原材料和生產成本方面具有優勢。據報道，三星內部已準備好技術路線圖，表明其第10代3D NAND將采用三重堆疊工藝。另據報道，該公司正在與東京電子（TEL）等半導體設備合作伙伴密切合作，以增強成本競爭力。業內人士指出，存儲業務嚴重下滑后，三星的危機感更加強烈，其最新的3D NAND部署策略可以被視為迎接2024年存儲市場復蘇的關鍵一步。
-
-
TI德州儀器TMS3705A1DRG4的中文參數、功能特點以及應用領域
TI德州儀器TMS3705A1DRG4的詳細參數、功能特點以及應用領域如下：一、中文參數?品牌?：TI（德州儀器）?型號?：TMS3705A1DRG4?類型?：RFID基站IC?工作頻率?：134.2kHz（低位），123kHz（高位，標稱值，但注意TMS3705A1DRG4主要工作于134.2kHz）?電源電壓?：4.5V至5.5V?針腳數/引腳數?：16?封裝類型?：SOIC-16?工作溫度范圍?：-40℃至85℃?睡眠模式電源電流?：典型值為0.2mA?安裝方式?：表面貼裝?外形尺寸?：高度1.5mm（SOIC-16封裝）?符合標準?：RoHS標準、Lead Free、No SVHC（REACH SVHC標準）二、功能特點?驅動天線?：TMS3705A1DRG4能夠驅動TI-RFid?轉發器系統的天線，以發送數據。?數據調制與解調?：該芯片能夠發送天線信號上調制的數據，并檢測、解調轉發器的響應信號（FSK頻移鍵控信號）。?短路保護?：具備短路保護功能，提高系統的穩定性和安全性。?診斷功能?：提供診斷功能，有助于故障排查和系統維護。?低功耗?：在睡眠模式下，電源電流典型值為0.2mA，有助于降低系統功耗。?與外部微控制器接口?：具有與外部微控制器的接口，方便系統集成和擴展。三、應用領域?RFID系統?：TMS3705A1DRG4主要用于RFID（射頻識別）系統中，作為基站IC，與轉發器配合實現數據的無線傳輸和識別。?汽車應用?：專為汽車要求而設計，可用于車輛識別、防盜、追蹤等汽車相關領域。?工業自動化?：在工業自動化系統中，可用于實現設備的無線識別和監控。?物聯網?：在物聯網領域，該芯片可用于構建無線傳感器網絡，實現數據的無線采集和傳輸。綜上所述，TI德州儀器TMS3705A1DRG4是一款功能強大、低功耗的RFID基站IC，適用于多種應用場景。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯系客服：4008-622-911或13823669944。
哦! 它是空的。