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深圳市永芯易科技有限公司
企業主營:電源IC、射頻IC、接口IC、數字信號處理器(DSP)、單片機(MCU)、場效應管(MOSFET)、單管(IGBT)、碳化硅(SIC)、運放、存儲、傳感器、可控硅等
展位號T29
電子時報報道,為了鞏固其在NAND閃存市場的領先地位,三星電子計劃再次采用雙堆疊技術來制造超過300層的3D NAND,旨在以生產成本優勢超越競爭對手。韓國媒體《首爾經濟日報》近日援引業內人士消息稱,三星計劃于2024年量產超過300層的第9代3D NAND。預計將采用雙堆疊技術生產,其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器,然后將它們組裝在一起。2020年,三星從第7代176層3D NAND芯片開始首次采用雙堆疊技術。近日,SK海力士宣布計劃于2025年開始量產321層3D NAND,這讓三星和許多業內專家都感到驚訝。SK海力士與三星戰略的不同之處在于,它將采用三重堆疊技術,涉及生產三組獨立的3D NAND層,每組分別堆疊為120層、110層和91層,然后組合成一個芯片。在去年10月份舉辦的“三星技術日2022”上,三星公布了到2030年實現堆疊多達1000層的愿景。當時,業內專家猜測,在第9代3D NAND之后,三星可能會在第10代430層產品中采用三重堆疊技術。韓國業內人士一致認為,如果不采用三重堆疊工藝,3D NAND要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。然而,三重堆疊技術和雙堆疊技術在成本和效率方面仍然存在顯著差異。顯然,使用雙堆疊工藝在原材料和生產成本方面具有優勢。據報道,三星內部已準備好技術路線圖,表明其第10代3D NAND將采用三重堆疊工藝。另據報道,該公司正在與東京電子(TEL)等半導體設備合作伙伴密切合作,以增強成本競爭力。業內人士指出,存儲業務嚴重下滑后,三星的危機感更加強烈,其最新的3D NAND部署策略可以被視為迎接2024年存儲市場復蘇的關鍵一步。
TI德州儀器TMS3705A1DRG4的詳細參數、功能特點以及應用領域如下:一、中文參數?品牌?:TI(德州儀器)?型號?:TMS3705A1DRG4?類型?:RFID基站IC?工作頻率?:134.2kHz(低位),123kHz(高位,標稱值,但注意TMS3705A1DRG4主要工作于134.2kHz)?電源電壓?:4.5V至5.5V?針腳數/引腳數?:16?封裝類型?:SOIC-16?工作溫度范圍?:-40℃至85℃?睡眠模式電源電流?:典型值為0.2mA?安裝方式?:表面貼裝?外形尺寸?:高度1.5mm(SOIC-16封裝)?符合標準?:RoHS標準、Lead Free、No SVHC(REACH SVHC標準)二、功能特點?驅動天線?:TMS3705A1DRG4能夠驅動TI-RFid?轉發器系統的天線,以發送數據。?數據調制與解調?:該芯片能夠發送天線信號上調制的數據,并檢測、解調轉發器的響應信號(FSK頻移鍵控信號)。?短路保護?:具備短路保護功能,提高系統的穩定性和安全性。?診斷功能?:提供診斷功能,有助于故障排查和系統維護。?低功耗?:在睡眠模式下,電源電流典型值為0.2mA,有助于降低系統功耗。?與外部微控制器接口?:具有與外部微控制器的接口,方便系統集成和擴展。三、應用領域?RFID系統?:TMS3705A1DRG4主要用于RFID(射頻識別)系統中,作為基站IC,與轉發器配合實現數據的無線傳輸和識別。?汽車應用?:專為汽車要求而設計,可用于車輛識別、防盜、追蹤等汽車相關領域。?工業自動化?:在工業自動化系統中,可用于實現設備的無線識別和監控。?物聯網?:在物聯網領域,該芯片可用于構建無線傳感器網絡,實現數據的無線采集和傳輸。綜上所述,TI德州儀器TMS3705A1DRG4是一款功能強大、低功耗的RFID基站IC,適用于多種應用場景。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯系客服:4008-622-911或13823669944。
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