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ONSEMI安森美FDA28N50場效應(yīng)管的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點
ONSEMI安森美FDA28N50的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點如下：
一、參數(shù)
?類型?：N溝道MOSFET
?引腳數(shù)?：3 Pin
?封裝?：TO-3P-3（也有資料提及TO-3-3）
?漏源極電壓(Vds)?：500V
?連續(xù)漏極電流(Id)?：28A
?導通電阻(RDS(on))?：0.175Ω（或175mOhms）
?功耗?：310W
?閾值電壓(Vgs(th))?：5V@250uA（也有資料提及3V）
?柵極電荷量(Qg)?：105nC@10V
?輸入電容(Ciss)?：3866pF @25V（或5.14nF@25V）
?上升時間?：126ns（或137ns）
?下降時間?：110ns（或101ns）
?工作溫度?：-55℃~+150℃
?高度?：20.1mm
?長度?：16.2mm
?寬度?：5mm
?單位重量?：7.85g（或4.6g，可能因封裝或測量方式而異）
二、應(yīng)用領(lǐng)域
FDA28N50適用于多種開關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，包括但不限于：
功率因數(shù)校正(PFC)
平板顯示屏(FPD) TV電源
ATX電源
電子燈鎮(zhèn)流器
三、功能特點
?低導通電阻?：有助于減少能量損耗，提高效率。
?卓越的開關(guān)性能?：快速開關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用。
?高雪崩能量強度?：能夠承受較高的電壓沖擊，增強器件的可靠性。
?內(nèi)部柵極-源極ESD二極管?：提供額外的靜電保護，增強器件的抗干擾能力。
?耐熱增強型封裝?：適應(yīng)高溫工作環(huán)境，確保器件長期穩(wěn)定運行。
綜上所述，ONSEMI安森美FDA28N50是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于多種開關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，具有低導通電阻、卓越的開關(guān)性能、高雪崩能量強度等特點。
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