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ST意法半導體新的1350V系列產(chǎn)品提高IGBT模塊的耐用性和效率

來源:ST意法半導體| 發(fā)布日期:2023-09-19 11:14

ST意法半導體發(fā)布了一種新型IGBTs,其擊穿電壓能力提高到1350V,最大工作溫度為175°c,更高的額定值確保了更大的設計裕度、穩(wěn)定的性能以及在所有工作條件下的擴展可靠性。

新的STPOWER IH2系列IGBTs也允許增加功率轉換效率。有利的參數(shù)包括低飽和電壓Vce(sat ),可確保器件開啟時的低功耗。續(xù)流二極管具有低壓降和優(yōu)化的關斷能量,可提高工作頻率范圍為16kHz至60kHz的單開關準諧振轉換器的效率。

憑借其耐用性和高效率,這些IGBTs非常適合感應加熱應用,包括廚房灶臺、變頻微波爐和電飯煲等家用電器。在2kW的應用中,ST的新IGBT器件可以減少高達11%的功耗。

此外,Vce(sat)具有正溫度系數(shù),器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡化設計,并易于并聯(lián)多個IGBTs,以滿足高功率應用的需求。

該系列的前兩款器件25A STGWA25IH135DF2和35A STGWA35IH135DF2現(xiàn)已量產(chǎn),采用標準TO-247長引腳電源封裝。

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