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在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學孵化的初創公司Quinas Technology獲得了創新大獎。他們展示了ULTRARAM,一個結合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術,力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區別閃存和DRAM作為已經被行業使用了數十年的存儲形式,因為其特性不同,往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點,但缺點在于需要高壓開關電路,以及相對較慢的編程/擦除。DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲,需要持續的電源供應,加上破壞性讀出以及容量擴展上始終存在困難。可以看出,無論是閃存和DRAM,都逃不開能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個共生的局面。而ULTRARAM作為一個通用內存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。ULTRARAM是一種基于電荷的存儲器,像NAND一樣使用浮柵結構,所以也能像其他閃存一樣,實現非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實現超長時間的存儲,這得益于其TBRT結構。哪怕是在單bit級別也能存儲遠大于十年的時間,ULTRARAM中的電荷可以存儲1000年而不會出現泄露。且ULTRARAM開關能耗極低,開關速度更是低于ns級。離量產還有多久?然而任何新的存儲形態在試圖挑戰閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產的問題,因為這才是決定其能否商業化的關鍵之一。常見的阻礙有,在現有的固態制造設備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經對于大部分晶圓廠來說,是否需要額外的工序。據了解Quinas Technology已經宣布添置和購買了相關設備,用于生產出20nm的ULTRARAM原型產品,并將繼續積極推動該技術的商業化。在確定其性能達到宣傳指標,比如1000萬次重寫循環后,他們會嘗試開始小規模市場并尋找感興趣的客戶。與此同時,英國創新機構也獎勵了Quinas Technology 30萬英鎊,用于推動這一技術的商業化進程。不過離真正的量產應該還有一定的差距,其發明者及Quinas Technology CSO表示,這對于一家初創公司來說自然是不小的投資,但量產ULTRARAM的過程并非短跑,而是一場馬拉松。Quinas Technology雖然購買了相關設備,但其僅用于原型的制造和驗證,真正量產還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內存制造工廠,據了解他們很可能選擇與臺積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業合作。在最終產品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場,比如服務器/數據中心級別的產品,畢竟消費級存儲市場仍處于一個去庫存的階段,而高性能內存恰恰是利潤最高的。同時Quinas Technology透露,對UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對于ULTRARAM的節能特性尤其看好。寫在最后和所有新的存儲技術一樣,大規模量產并控制成本才是最關鍵的挑戰。而對于ULTRARAM來說,該技術尚未到量產驗證階段,還在性能與指標的驗證階段,如果原型產品和之后的小批量產品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術會獲得更多公司的青睞和投資。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區別
離量產還有多久?
寫在最后
ATMEGA128A-AU是一款基于AVR增強RISC架構的低功耗CMOS 8位微控制器。通過在單個時鐘周期內執行強大的指令,ATMEGA128A-AU實現了接近1MIPS每MHz的吞吐量,使系統設計者能夠根據處理速度優化功耗。特征高性能、低功耗Atmel8位微控制器?高級RISC體系結構–133條功能強大的指令–大多數單時鐘周期執行–32×8通用工作寄存器+外圍控制寄存器–全靜態運行–16MIPS下高達16MHz的吞吐量–片上2周期乘法器?高耐久性非易失性內存段–128K字節的系統內自編程閃存–4K字節EEPROM–4K字節內部SRAM–寫入/擦除周期:10000閃存/100000 EEPROM–數據保留期:85°C下20年/25°C下100年(1)–具有獨立鎖定位的可選引導代碼段基于片上引導程序的系統內編程寫時真讀操作–高達64 KB的可選外部內存空間–軟件安全編程鎖-用于系統內編程的SPI接口?JTAG(符合IEEE標準1149.1)接口-邊界掃描能力符合JTAG標準–廣泛的片上調試支持–通過JTAG接口對閃存、EEPROM、保險絲和鎖位進行編程?外圍功能–兩個帶獨立預分頻器和比較模式的8位定時器/計數器–兩個擴展的16位定時器/計數器,帶獨立的預分頻器、比較模式和捕獲模式–帶獨立振蕩器的實時計數器–兩個8位PWM通道–6個PWM通道,可編程分辨率從2位到16位–輸出比較調制器–8通道、10位ADC8個單端通道7差分通道2個可編程增益為1x、10x或200x的差分信道–面向字節的雙線串行接口–雙可編程串行USART–主/從SPI串行接口–帶片上振蕩器的可編程看門狗定時器-片上模擬比較器?特殊的微控制器功能–通電復位和可編程燒壞檢測–內部校準RC振蕩器–外部和內部中斷源–六種睡眠模式:空閑、ADC降噪、省電、斷電、待機、,和延長待機時間–軟件可選時鐘頻率–保險絲選擇的ATmega103兼容模式–全局上拉禁用?I/O和軟件包–53條可編程I/O線–64引線TQFP和64焊盤QFN/MLF?工作電壓–2.7伏-5.5伏?速度等級–0-16MHz引腳方框圖AVR架構框圖美國微芯代理商永芯易科技:如有芯片采購需求可通過聯系客服:4008-622-911或關注我司獲取芯片產品規格書或芯片樣品測試(樣品測試:終端廠家專享,需提供公司信息)最終解釋權歸我司所有。
9月21日,在蔚來創新科技日上,蔚來汽車CEO李斌介紹,蔚來自研的第一款芯片產品——激光雷達主控芯片“楊戩”已經開始量產,該產品具有集成度高、能耗低、性能強等特征,能對復雜場景提供更佳支持。李斌說,自己做芯片的目的是“毛利”,希望用近期研發投入換長期毛利,這一顆芯片可以為蔚來節省幾百元,其將于今年10月量產。資料顯示,“楊戩”芯片是蔚來智能硬件團隊發布的第一顆自研芯片,8核64位處理器,提供了強大的計算支撐,并且加配8通道9bit的ADC,采樣率高達1GHz,可高效捕獲激光雷達傳感器的原始數據,還將為激光雷達降低50%的功耗。“智能電動汽車時代,車企若不做底層正向開發,難以獲得持久競爭力。未來,蔚來業務布局是智能電動汽車、用戶企業和全球運營。” 李斌說。
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