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被出售的硅光模塊業(yè)務(wù)早在Q3季度的財(cái)報(bào)上,英特爾CEO Pat Gelsinger就表示為了實(shí)現(xiàn)2023年節(jié)省30億美元成本的目標(biāo),他們決定剝離并出售可插拔硅光模塊業(yè)務(wù),從而專(zhuān)注在附加價(jià)值高的主營(yíng)業(yè)務(wù)和AI基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展所需的光學(xué)I/O解決方案上。而這也是最近兩年半以來(lái),英特爾剝離的第十個(gè)業(yè)務(wù)。此前命運(yùn)相近的業(yè)務(wù)還有SSD業(yè)務(wù)、筆記本Modem等。由此看來(lái)英特爾將主要重心放在了計(jì)算業(yè)務(wù)和晶圓代工上,尤其是在完成5年4個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)同時(shí),還要能維持可觀的利潤(rùn)率,這也就意味著英特爾不得不與其他非關(guān)鍵業(yè)務(wù)做出分割。我們?cè)賮?lái)看看購(gòu)買(mǎi)英特爾這一業(yè)務(wù)的捷普,捷普專(zhuān)注于設(shè)計(jì)、制造和供應(yīng)鏈解決方案,其云和企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施高級(jí)副總裁Matt Crowley表示,這筆交易能夠很好地滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心行業(yè)重要客戶(hù)的需求,包括超大規(guī)模、人工智能云數(shù)據(jù)中心等。在于2015年收購(gòu)了奧新科技后,捷普已經(jīng)成了光學(xué)網(wǎng)絡(luò)與數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)的頂級(jí)全面解決方案供應(yīng)商之一了。其作為光無(wú)源器件、光有源器件、CATV、城域網(wǎng)和長(zhǎng)距離傳輸系統(tǒng)的制造服務(wù)商,已經(jīng)推出了各種高質(zhì)量低成本的有源和無(wú)源器件與模塊。除此之外,捷普也在針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出FinTech與云計(jì)算相關(guān)的高性能、低延遲服務(wù)器,以今年推出的J312-S 1U和JS322-S 2U為例,也都是基于第四代Intel Xeon雙插槽處理器打造的。此番收購(gòu)英特爾的硅光模塊業(yè)務(wù),捷普也能夠進(jìn)一步降低開(kāi)發(fā)和部署增強(qiáng)型光網(wǎng)絡(luò)解決方案的復(fù)雜性。硅光模塊的優(yōu)劣勢(shì)硅光模塊作為采用了硅光子技術(shù)的可插拔光模塊,其中硅光IC以SOI晶圓作為半導(dǎo)體基底材料,所以絕大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝也能適用。而且由于光子的物理特性,反而較老的CMOS節(jié)點(diǎn)完美適合這類(lèi)光電設(shè)備的制造。相較于傳統(tǒng)的分立器件,其進(jìn)一步優(yōu)化了材料成本、封裝成本等。同時(shí)其集成、組裝和測(cè)試也都可以在晶圓級(jí)下完成,測(cè)試效率更高。硅光模塊采用激光束來(lái)代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù),通過(guò)光來(lái)代替銅作為傳輸介質(zhì),提高了芯片到芯片之間的連接速度,所以更適合對(duì)延遲有著嚴(yán)格要求的應(yīng)用。硅光模塊也并非毫無(wú)缺點(diǎn),比如其插入損耗較大,所以只能在較短的傳輸距離下實(shí)現(xiàn)足夠的可靠性,所以很難大部分廠商都還在繼續(xù)研究如何實(shí)現(xiàn)更好地與有源功能器件(比如光源和光放)的集成。此外,雖然硅光芯片的生產(chǎn)可以采用CMOS工藝,但根據(jù)不同晶圓廠的特種工藝水平不同,其硅光節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)程度和良率都存在差異。總結(jié)盡管硅光模塊帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)或許在100G的光模塊產(chǎn)品中不明顯,但隨著數(shù)據(jù)中心逐漸向400G、800G遷移,低成本的硅光模塊會(huì)成為更多數(shù)據(jù)中心的選擇,這對(duì)于想在數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)上更進(jìn)一步的捷普來(lái)說(shuō),收下英特爾的硅光模塊無(wú)疑是一筆值當(dāng)?shù)慕灰住?/section>
被出售的硅光模塊業(yè)務(wù)
硅光模塊的優(yōu)劣勢(shì)
總結(jié)
近年來(lái),芯片方面的技術(shù)已經(jīng)成為各國(guó)激烈競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)再到測(cè)試、封裝,每個(gè)環(huán)節(jié),技術(shù)都在不斷進(jìn)步。由于美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片業(yè)進(jìn)行打壓,中國(guó)大陸企業(yè)不能進(jìn)口高端光刻機(jī),但是在刻蝕和先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié),中國(guó)企業(yè)已經(jīng)具備了和世界領(lǐng)先水平一較高下的能力。在沒(méi)有先進(jìn)光科技的情況下,采用先進(jìn)的封裝技術(shù)把兩個(gè)或以上芯片疊加到一起,可以提升芯片的性能,這也是大陸企業(yè)突破美國(guó)各種禁令的優(yōu)選解決方案。而芯片制程的下降已經(jīng)遇到了瓶頸,先進(jìn)封裝技術(shù)正在全球芯片行業(yè)得到更多的重視。中國(guó)的先進(jìn)封裝技術(shù)取得突破近日,中國(guó)超級(jí)計(jì)算機(jī)研究中心(NSCC)宣布,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了中國(guó)首個(gè)4納米芯片的封裝。先進(jìn)封裝其實(shí)包含了芯片生產(chǎn)之后的一系列技術(shù),包括2.5D封裝、3D封裝和Chiplet 等。可以在不縮小芯片制程的情況下,讓芯片面積更小,性能更強(qiáng),比如兩塊14納米制程的芯片通過(guò)疊加,可以達(dá)到相當(dāng)于10納米芯片的性能。由于無(wú)法獲得高端光刻機(jī),中國(guó)芯片的制程目前被限制在14納米,想要獲得面積更小、性能更強(qiáng)的芯片,先進(jìn)封裝技術(shù)的突破就顯得更為重要。此前,通富微電已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了5納米的Chiplet技術(shù),而且吸引了美國(guó)企業(yè)AMD的青睞,把自己80%的封裝業(yè)務(wù)交給了這家中國(guó)企業(yè)。這次超算中心的成果,也吸引到了更多美國(guó)芯片巨頭的關(guān)注,他們紛紛拋出橄欖枝,想要和中國(guó)企業(yè)進(jìn)一步合作。美國(guó)的確在芯片生產(chǎn)領(lǐng)域擁有眾多專(zhuān)利,但是其自身在封裝方面卻沒(méi)有足夠的產(chǎn)能。目前,長(zhǎng)電科技等中國(guó)企業(yè)已經(jīng)占領(lǐng)了全球四分之一的封裝市場(chǎng)份額,而美國(guó)企業(yè)卻僅占有3%的份額。美國(guó)的芯片巨頭,例如英特爾和美光,都要依賴(lài)國(guó)外,尤其是亞洲的企業(yè)進(jìn)行芯片封裝。芯片封裝技術(shù),也是目前我國(guó)在芯片制造的各個(gè)領(lǐng)域中和國(guó)際先進(jìn)水平差距最小的。芯片的傳統(tǒng)封裝基本上只是加上保護(hù)性的外殼,但先進(jìn)封裝卻需要聯(lián)通幾塊芯片,提升性能的同時(shí)還要解決發(fā)熱和良品率等問(wèn)題,對(duì)技術(shù)的要求越來(lái)越高了。美國(guó)此前出臺(tái)了針對(duì)先進(jìn)封裝的鼓勵(lì)措施,相關(guān)企業(yè)也在擴(kuò)大芯片封裝業(yè)的布局。但他們?nèi)匀辉趯で蠛椭袊?guó)企業(yè)的合作,足以說(shuō)明中國(guó)企業(yè)目前在這方面的技術(shù)已經(jīng)得到了相當(dāng)高的認(rèn)可度。以往,芯片企業(yè)“卷”的都是芯片的制程,比如臺(tái)積電和三星,先后宣布量產(chǎn)3納米芯片,根據(jù)摩爾定律,這已經(jīng)逼近了芯片理論上的極限尺寸,也就是1納米。但是在這種極限的制程下,芯片會(huì)難以避免地出現(xiàn)某些故障,導(dǎo)致其良品率難以保證。據(jù)說(shuō),三星3納米的良品率就只有10%-20%,而且其生產(chǎn)成本成倍增加。更關(guān)鍵的是,用得上,用得起這類(lèi)芯片目前也只有蘋(píng)果等少數(shù)企業(yè)。所以,各國(guó)都把目光轉(zhuǎn)向了芯片的先進(jìn)封裝,用這種方式來(lái)滿(mǎn)足自己對(duì)高性能芯片的需求。目前全球范圍內(nèi),芯片先進(jìn)封裝的市場(chǎng)正在高速增長(zhǎng),根據(jù)權(quán)威預(yù)測(cè),2027年其市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到650億美元。先進(jìn)封裝市場(chǎng)對(duì)中國(guó)芯片企業(yè)來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一個(gè)“彎道超車(chē)”的契機(jī)。芯片封裝領(lǐng)域不受光刻機(jī)等設(shè)備出口限令的影響,中國(guó)大陸的企業(yè)正在加速?gòu)膫鹘y(tǒng)封裝轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝。這次超級(jí)計(jì)算機(jī)研究中心完成的4納米芯片封裝,已經(jīng)很接近三星和臺(tái)積電3納米制程了。隨著大數(shù)據(jù)、自動(dòng)駕駛、高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展,對(duì)芯片先進(jìn)封裝技術(shù)的需求也在提升。如果中國(guó)企業(yè)能夠抓住這次機(jī)會(huì),可以成為讓中國(guó)芯片業(yè)擺脫“卡脖子”局面的突破口。和美國(guó)企業(yè)的合作,可以給中國(guó)企業(yè)帶來(lái)更多發(fā)展機(jī)會(huì)。以往美國(guó)的制裁,已經(jīng)傷害了不少美國(guó)芯片企業(yè)的利益。中國(guó)擁有人才和生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì),美國(guó)則擁有資金和技術(shù),如果雙方能夠在芯片封裝領(lǐng)域合作,將有希望獲得一種共贏的新局面。為了促進(jìn)中國(guó)的芯片封裝產(chǎn)業(yè),中國(guó)已經(jīng)在聯(lián)合60多家國(guó)內(nèi)企業(yè),發(fā)布了Cliplet方面的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)相關(guān)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率、接口等技術(shù)指標(biāo)都做出了規(guī)范。有了我們自己的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)技術(shù),就不必再被動(dòng)跟隨美韓等國(guó)的要求。而我們的芯片產(chǎn)業(yè)原本又有著龐大的市場(chǎng)和較完善的產(chǎn)業(yè)鏈,未來(lái),先進(jìn)封裝技術(shù)會(huì)對(duì)芯片行業(yè)起到越來(lái)越重要的作用。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,三星、臺(tái)積電能量產(chǎn)的芯片的制程達(dá)到了3納米,這已經(jīng)接近了芯片的物理極限。因此各國(guó)都把目光轉(zhuǎn)向了不需要縮小芯片制程,也能提升芯片性能,縮小面積的先進(jìn)封裝技術(shù)。先進(jìn)封裝技術(shù)已經(jīng)成了芯片行業(yè)新的突破口。近日,中國(guó)超級(jí)計(jì)算機(jī)研究中心宣布實(shí)現(xiàn)了中國(guó)首個(gè)4納米芯片的封裝。這是中國(guó)芯片封裝領(lǐng)域的一大進(jìn)步,而且吸引了英特爾等美國(guó)企業(yè)的注意,美國(guó)在芯片封裝方面市占率較低,因此他們?cè)诜e極尋求和中國(guó)芯片企業(yè)的合作。而這樣的合作,有望成為中國(guó)芯片業(yè)擺脫美國(guó)制裁的一個(gè)契機(jī)。
AD74115H是一款軟件可配置的單通道輸入/輸出設(shè)備,用于工業(yè)控制應(yīng)用。AD74115H集成在單片上,提供廣泛的使用案例。這些使用案例包括模擬輸出、模擬輸入、數(shù)字輸出、數(shù)字輸入和電阻溫度檢測(cè)器(RTD)和熱電偶測(cè)量的功能。AD74115H還有一個(gè)集成HART調(diào)制解調(diào)器。使用一個(gè)串行外圍接口(SPI)處理所有與設(shè)備的通信,包括與HART調(diào)制解調(diào)器的通信。可通過(guò)SPI或通用輸入和輸出(GPIO)引腳來(lái)評(píng)估數(shù)字輸入和數(shù)字輸出,來(lái)支持更高速的數(shù)據(jù)速率。該設(shè)備配備一個(gè)16位Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和一個(gè)14位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)。AD74115H包含一個(gè)高精度2.5 V片上基準(zhǔn)電壓源,可用作DAC和ADC的基準(zhǔn)。通過(guò)ADP1034配套產(chǎn)品提供電源和隔離。ADP1034和AD74115H一起使用時(shí),正模擬電源AVDD上具備可編程功率控制(PPC),實(shí)現(xiàn)最終應(yīng)用中的優(yōu)化功率解決方案。如果需要單極功能,可以啟用一個(gè)片上充電泵。AD74115H優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)單通道軟件可配置的輸入/輸出多個(gè)可配置模式采用一個(gè)引腳電壓輸入電流輸入電壓輸出電流輸出數(shù)字輸入數(shù)字輸出2線、3線或4線RTD測(cè)量熱電偶測(cè)量面向引腳的螺絲端子能夠承受過(guò)壓,無(wú)論是否通電輔助高電壓感應(yīng)引腳10ppm°參照溫度系數(shù)具有可選50 Hz和60 Hz抑制性能的16位Σ-ΔADC14 位單調(diào) DAC單極和雙極能力集成式HART調(diào)制解調(diào)器片內(nèi)診斷,包括開(kāi)路和短路檢測(cè)內(nèi)部溫度傳感器,精度為 ±5°C兼容 SPI寬電源電壓范圍可編程電源控制溫度范圍:?40°C 至 +105°C48 引腳 LFCSPAD74115H應(yīng)用隔離工業(yè)控制系統(tǒng)過(guò)程控制工廠自動(dòng)化樓宇控制系統(tǒng)AD74115H封裝引腳圖AD74115H功能框圖AD74115H工作原理圖
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